[发明专利]树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 202110475544.3 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113161228A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 王筱姗;张庆裕;林进祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/004
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 赵艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本申请涉及树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法。具体地,本文公开了一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案,并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物以及包含自由基活性官能团和酸不稳定基团的树脂。
搜索关键词: 树脂 光致抗蚀剂 组合 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
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