[发明专利]光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法在审
申请号: | 202110475557.0 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113054529A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 薛正群;黄惠莺;张长平;林泽磊;方瑞禹;苏辉 | 申请(专利权)人: | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/30;H01S5/34;H01S5/343 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 362712 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法,通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面;在能带结构上采用N‑InAlGaAs取代常规的N‑InAlAs电子阻挡层,降低电子从N型进入量子阱的势垒,降低阈值;采用超晶格结构量子垒取代单层垒层结构改善重空穴在量子阱中的输运;并在材料结构上进行调整,实现可靠性良好的硅衬底光通信用O波段高直调速率半导体激光芯片。 | ||
搜索关键词: | 光通信 波段 高速 半导体 激光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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