[发明专利]谐振器及其形成方法、电子设备有效
| 申请号： | 202110475611.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113472308B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;杨清瑞;宫少波 | 申请（专利权）人： | 广州乐仪投资有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 510805 广东省广州市花都区绿港三*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种谐振器及其形成方法，以及一种电子设备。该方法包括：对于包括顶硅层、埋氧层和底硅层的SOI晶圆，在顶硅层之上依次形成图形化的压电层和底电极；将当前半导体结构倒置后键合到下硅帽之上，其中，当前半导体结构与下硅帽之间构成下空腔；去除底硅层；形成梁结构，其中，顶硅层作为梁结构的从动层；将上硅帽键合到当前半导体结构上，其中，当前半导体结构与上硅帽之间构成上空腔。该方法采用将器件倒置进行键合实现谐振器真空腔的封装技术，避免了带空腔SOI硅片的使用，使成本大幅降低。同时克服了空腔SOI顶硅在形成后由弯曲恢复平直及由底硅与埋氧层硬键合带来的应力问题。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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