[发明专利]一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法在审

专利信息
申请号: 202110475798.5 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113371668A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 刘国文;高乃坤;李兆涵;刘福民;赵亭杰;张树伟;王学锋 申请(专利权)人: 北京航天控制仪器研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 徐晓艳
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法,所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板;MEMS加速度计芯片,固定在封装管壳基底上;应力隔离框架为倒U型盖板,倒U型盖板与封装管壳底部相粘结,跨在MEMS加速度计芯片上,所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面,实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置;MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连,所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合,实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装,还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化,提高环境适应性。
搜索关键词: 一种 mems 加速度计 应力 集成 封装 结构 方法
【主权项】:
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