[发明专利]一种磁控溅射平面阴极装置在审
| 申请号： | 202110476838.8 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113122814A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 谢斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的一种磁控溅射平面阴极装置，包含磁体组和磁轭，所述磁体组包括三套磁体组，分别是直道区磁体组、过渡区磁体组及环形区磁体组，过渡区磁体组衔接直道区磁体组和环形区磁体组；所述直道区磁体组和过渡区磁体组分别包含一组中心磁铁和两组外侧磁铁，环形区磁体组包含一组中心磁铁和一组外环磁铁；直道区磁体组的外侧磁体的间距为d1，环形区磁体组的外环磁铁直径为d2，则d2d1。本发明通过改变磁体的形状和磁体在磁轭上的排布，改进了靶材环形区域和过渡区域的磁场分布，从而改善了磁控溅射靶材表面过渡区域和环形区域局部刻蚀过快的问题，达到降低刻蚀速率的目的，并且在不增加靶材长度的情况下，加长了靶材的有效均匀溅射区域，提高靶材的利用率，同时降低磁控溅射镀膜成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 平面 阴极 装置 | ||
【主权项】：
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