[发明专利]一种自整流忆阻器、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110478216.9 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206194B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭新;黄静楠;黄鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自整流忆阻器、制备方法及其应用，属于半导体器件领域。所述制备方法包括：下列步骤：(1)在底部电极表面沉积氧化物阻变层，该氧化物阻变层中掺杂至少一种金属；(2)在阻变层表面沉积与底部电极材料不同的顶部电极，得到所述自整流忆阻器。本发明采用金属掺杂的氧化物阻变层，从而改变器件的能带结构，提升器件的整流性能，抑制了大规模交叉开关阵列中的潜行电流效应，极大地提高阵列的集成度，大幅降低阵列的功耗。由此解决目前需要集成额外的器件，从而增加了交叉阵列配置的复杂度的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流 忆阻器 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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