[发明专利]一种铂金薄膜及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 202110479488.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113186528B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 邓道安 | 申请（专利权）人： | 上海铂源微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/40;C23C16/34;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铂金薄膜，所述铂金薄膜通过采用过渡层衔接衬底和铂膜层，并选用氮化铝、二氧化硅、氮化硅或蓝宝石作衬底，相较于原有氧化铝陶瓷衬底而言，表面平整度更高，缺陷密度更低，以此提供一个更加优良的衬底环境；制得的铂金薄膜层均匀性更佳；同时采用保护层对铂金薄膜层进行高温保护，提高铂金薄膜的耐高温性能；所述铂金薄膜的制备方法采用金属有机化学沉积、磁控溅射与原子层沉积方法相结合，能够有效解决电子表面散射效应和高温团簇效应，制备出一致性好，耐高温并且具备长期稳定性的铂金薄膜，能够较好地应用在传感器领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铂金 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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