[发明专利]一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法有效
| 申请号： | 202110481567.5 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113241308B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杜哲仁;黄策;包杰;陈嘉;季根华;陈程;林建伟 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/27;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 袁芳;刘卓夫 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，包括以下步骤：S1.在同等工艺条件下制备具有TOPCon钝化接触结构的使用品和测定品，并在测定品上增设电介质层：使用品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层；测定品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的电介质层、隧穿氧化层和多晶硅层，使用品中的所述隧穿氧化层和多晶硅层分别与测定品中的隧穿氧化层和多晶硅层具有一致性；S2.对测定品和/或使用品进行数据测定，和/或对数据测定结果进行比对分析，得出最终测定结论。按照本发明提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：不受晶体硅衬底表面形貌影响、测定结果准确而且方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 钝化 接触 结构 多晶 数据 测定 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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