[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110482497.5 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113241375B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，所述半导体层中形成有器件有源区，所述器件有源区的外围环绕形成有沟槽隔离结构；栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层从所述器件有源区延伸至所述沟槽隔离结构上；以及，源极区和漏极区，分别形成于所述栅极层两侧的所述器件有源区中，所述栅极层的至少一端横跨所述器件有源区与所述沟槽隔离结构的交界处的部分向所述源极区和/或所述漏极区方向延伸。本发明的技术方案使得器件有源区与沟槽隔离结构的交界处的边缘漏电得到减小，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110482497.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体及其制作方法
- 下一篇：一种同步离合盘式轴向刀杆动力刀架
- 同类专利
- 专利分类
