[发明专利]三维存储器及制造三维存储器的方法有效
| 申请号： | 202110483965.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206098B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘小欣;夏志良;刘威;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/42;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了包括外围电路芯片的三维存储器。外围电路芯片包括：第一衬底；第一电路元件层，设置在第一衬底上，并且包括第一器件层和第一连接层，第一连接层用于第一器件层的信号传输；第二衬底，设置在第一电路元件层上；以及第二电路元件层，设置在第二衬底上，并且包括第二器件层和第二连接层，第二连接层用于第二器件层的信号传输。由于外围电路芯片中的器件可以设置在不同的衬底上，可以有效地减小外围电路芯片的面积，有利于三维存储器存储密度的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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