[发明专利]一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110487314.9 申请日: 2021-05-05
公开(公告)号: CN113380597B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 祝维;董长昆;钱维金;黄卫军 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: H01J37/073 分类号: H01J37/073;H01J9/02
代理公司: 温州名创知识产权代理有限公司 33258 代理人: 陈加利
地址: 325000 浙江省温州市瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法,其技术方案是包括以下步骤:(1)在镍基片表面镀上金属铂层;(2)在保护气体保护下,利用脉冲激光以负离焦对镀有金属铂镍基片的表面进行点烧蚀,负离焦烧蚀时激光焦点在镍基片内部,使内部镍金属融化,在镍金属蒸汽的推动作用下流向镍基片表面冷却后形成球壳;(3)利用化学气相沉积法在镍基底的激光烧蚀形成的球壳上直接生长碳纳米管阴极薄膜。本发明该微焦点电子源具有开启电场低(1V/μm)、电流密度高(~1A/cm2)、以及高压强发射工作稳定性好等优点。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 焦点 发射 电子 及其 制备 方法
【主权项】:
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