[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110490067.8 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113206106B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨远程;刘磊;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和第一牺牲层的叠层结构；形成贯穿叠层结构的沟道孔并在沟道孔的侧壁上依次形成功能层和沟道层，以形成沟道结构；形成贯穿至少一个第一牺牲层的顶部选择栅切口；经由顶部选择栅切口，依次去除至少一个第一牺牲层和功能层的与至少一个第一牺牲层对应的部分，以形成选择栅极间隙；在选择栅极间隙内形成第二牺牲层；以及将叠层结构内的第一牺牲层和第二牺牲层置换为包括栅极阻挡层和导电层的栅极层。该三维存储器及其制备方法能够提高顶部选择晶体管的阈值电压的稳定性，并提高顶部选择晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110490067.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
