[发明专利]一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管有效
| 申请号： | 202110493781.2 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113224169B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且增强型器件难以兼顾低导通电阻的问题，提出一种兼具高阈值电压和低导通电阻的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用金属与氧化镓的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断和高耐压，获得低泄漏电流及硬雪崩击穿特性；当栅压高于阈值电压，鳍型导电沟道侧壁形成电子积累层且折叠栅结构增加沟道密度，导通电阻大大降低。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具高阈值电压和低导通电阻的优点且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 折叠 氧化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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