[发明专利]一种物理喷砂方式制备取向硅钢薄带无底层原料的方法有效
申请号: | 202110494444.5 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113211325B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 刘宝志;张航;李振兴;孙振东;贺海政;李源;李艳霞;张艳芳 | 申请(专利权)人: | 包头市威丰稀土电磁材料股份有限公司 |
主分类号: | B24C1/08 | 分类号: | B24C1/08;B24C7/00;C21D8/12;C21D1/30;C21D1/26;B21B1/22 |
代理公司: | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人: | 尉月丽 |
地址: | 014060 内蒙古自治区包头市*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种物理喷砂方式制备取向硅钢薄带无底层原料的方法,步骤包括:S1、坯料预处理;S2、涂覆隔离剂,后进行高温退火;S3、拉伸热平整;S4、表面喷砂处理,去除底层;S5、去应力退火;本发明优点在于,采用喷砂的物理办法制备取向硅钢薄带无底层原料,代替了传统的用酸去除取向硅钢涂层或硅酸镁底层,结合退火去应力,显著改善了加工质量,使整个加工过程更加环保,也有利于控制成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 物理 喷砂 方式 制备 取向 硅钢 薄带无 底层 原料 方法 | ||
【主权项】:
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