[发明专利]负压式硅片传送流线及硅片检测分选设备有效
申请号: | 202110495271.9 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN112908915B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 曹葵康;孙靖;顾烨;胡辉来;孙俊;苏傲;钱春辉;程璧;张体瑞;温延培 | 申请(专利权)人: | 苏州天准科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 马振华 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种负压式硅片传送流线及硅片检测分选设备,其中,负压式硅片传送流线包括:主传送流线、负压顶升装置以及分传送流线;主传送流线包括若干传送单元,各传送单元沿输送方向依次间隔设置,任意相邻的两个传送单元之间设置有负压顶升装置,任一负压顶升装置的两侧设置有分传送流线;负压顶升装置包括:负压吸附机构、顶升机构以及输送机构,负压吸附机构由顶升机构驱动进行升降运动,输送机构将由负压吸附机构吸附的硅片传送至一侧的分传送流线处。本发明将输送硅片的传送流线分段设置,各传送单元之间均设置负压顶升装置,其使得硅片在下料时,能够与输送带保持贴合,进而克服了硅片之间容易发生碰撞的问题。 | ||
搜索关键词: | 负压式 硅片 传送 流线 检测 分选 设备 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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