[发明专利]一种减少加热器损耗的碳化硅单晶生长方法有效
| 申请号： | 202110495921.X | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113215660B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种减少加热器损耗的碳化硅单晶生长方法，它涉及碳化硅单晶生长方法。它是要解决现有的PVT法生长碳化硅单晶的方法中石墨坩埚易产生损耗的技术问题。本发明的方法：一、生长碳化硅单晶的装置包括石墨加热器、石墨坩埚；石墨坩埚由坩埚上盖和坩埚主体组成；将石墨坩埚置于石墨加热器中，再在石墨坩埚和石墨加热器之间的空隙中填充石墨粉并压实；二、将碳化硅原料放置在坩埚主体中，将碳化硅籽晶粘贴在坩埚上盖的内侧，将坩埚上盖盖在坩埚主体上，再在坩埚上盖的上表面盖上碳化硅多晶块；三、加热、生长，得到碳化硅单晶。本发明的石墨加热器和石墨坩埚分离，提高了加热器加热效率稳定性，提高晶体生长质量，可用于碳化硅单晶生长领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 加热器 损耗 碳化硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
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