[发明专利]一种三维相变存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 202110497138.7 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113410381B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;李博文 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维相变存储器，包括：沿第三方向依次交替堆叠分布的至少两条导电线和至少一个相变存储单元，每个所述相变存储单元位于相邻两条导电线之间，其中，奇数条所述导电线沿第一方向延伸，偶数条所述导电线沿第二方向延伸，所述第一方向、所述第二方向与所述第三方向相互垂直；所述相变存储单元包括依次堆叠分布的第一电极、选通层、第二电极、相变存储层以及第三电极；其中，所述第三电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第二电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 相变 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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