[发明专利]一种多晶硅的冶炼方法在审

专利信息
申请号: 202110499331.4 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN115305568A 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 赵中伟;赵天瑜;雷云涛;孙丰龙;李江涛;刘旭恒;陈星宇 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C30B28/04 分类号: C30B28/04;C30B29/06;C25B1/33
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 秦琼
地址: 410000*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于硅冶金技术领域,具体涉及一种通过熔盐电解法制备多晶硅的方法。所述方法采用具有阳极室和阴极室的电解槽实施,电解槽内盛有阳极电解质、阴极电解质、液态合金等熔体;向阳极室中加入二氧化硅原料,通电电解,即可在阴极室中得到多晶硅产物。本发明方法具有生产连续、可操作性强、多晶硅产物纯度高的优点,避免了现有熔盐电解法所具有的原料溶解性能差和操作要求高等缺陷,以及碳热还原法所面临的高温能耗和有毒废气排放的问题。
搜索关键词: 一种 多晶 冶炼 方法
【主权项】:
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