[发明专利]集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

摘要

本发明公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其制备方法，所述电路结构包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路，所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。本申请所述太赫兹单片电路结构将射频测试压点设计到单片电路结构上，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。