[发明专利]一种抗辐射SOI器件及制造方法

摘要

一种抗辐射SOI器件及制造方法，属于半导体制造技术领域。本发明抗辐射SOI器件，采用埋氧化层和隔离槽的结构，实现了器件间的全隔离，避免了寄生P‑N‑P‑N结构引起的闩锁效应，提高了电路抗单粒子效应和瞬时剂量率效应能力。在阱区底部设置高浓度的埋层，减弱了埋氧化层正电荷对器件背沟特性的影响，可以抑制背沟开启和背栅击穿，提高器件抗总剂量效应能力。部分场氧结构减小了场氧化层的面积，使总剂量效应在场氧化层内产生的正电荷总量减少，因而减小了总剂量效应对器件的影响。