[发明专利]基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元有效
| 申请号： | 202110515215.7 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113328741B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨润萍;殷金曙;杜世民;韩金亮 | 申请（专利权）人： | 宁波大学科学技术学院 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K19/003 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315212 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元，包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组，上拉网络由n个PMOS管串联构成，具有n‑1个堆叠结点，下拉网络由n个NMOS管并联构成，栅极反馈PMOS堆叠模块由n‑1个PMOS管构成，并联NMOS模块组由n‑1个并联NMOS模块构成；优点是当栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组同时导通时，对n‑1个堆叠结点处电容放电，减少了上拉网络的漏电流，同时由于上拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组构成的施密特触发电路的迟滞特性，改善了电路的VTC曲线并增加了上拉网络的开关阈值，提升了稳定性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 施密特 触发 电路 堆叠 阈值 标准 单元 | ||
【主权项】：
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