[发明专利]基片液处理装置和基片液处理方法在审
| 申请号： | 202110515961.6 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113690160A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 中岛干雄;田中明贤;绪方信博;宫本勋武 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生的基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：供处理液流动的液配管；释放嘴，其释放经由液配管供给的处理液；阀机构，其调节液配管中的处理液的流动；和液检测传感器，其检测液配管中是否存在处理液。在阀机构工作以使液配管中的处理液位于比液配管的第一配管测量部位靠上游处的状态下，液检测传感器检测在位于第一测量点的第一配管测量部位是否存在处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 基片液 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
