[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110516398.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113299829A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;李俊杰;周娜;刘卫兵;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，可以在衬底上沉积形成牺牲层，利用Bosch工艺对牺牲层进行刻蚀形成电容孔，电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化，在电容孔内依次形成底电极层、介质层和顶电极层，由于Bosch工艺能够使刻蚀朝着深度方向进行，利于高深宽比的电容孔形成，提高电容孔的孔径的均匀性，且刻蚀过程中可以保护侧壁，在刻蚀过程中天然形成侧壁上凹凸交替变化的特性，无需在沉积工艺中掺杂，从而简化沉积工艺，提高电容面积，进而在简化工艺的前提下得到高性能的存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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