[发明专利]黑腔内壁低密度金转化层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110517767.1 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN113215532B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 刘艳松;何智兵;黄景林;易泰民;王涛;陈果;何小珊;谢春平;李俊 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/34;C25D3/48;C23C28/02;C23C14/58;C25D5/50
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 罗明理
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开的是激光惯性约束聚变靶制备技术领域的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法,包括以下步骤:首先采用Au靶与活泼金属靶的双靶共溅方式在芯轴表面制备合金结构的内衬层;然后在内衬层结构的表面制备纯金的支撑层;然后对样品进行退火处理;最后将样品在电解质溶液中进行去芯轴和合金处理,清洗、烘干后得到内衬层为低密度金转化层的黑腔。本发明直接在传统金黑腔内壁原位制备低密度能量转化层,不需要二次加工装配成型,制备方法简单,成本低、效率高,并且低密度Au层的密度和密度分布精确可控,可根据需求有效调节,低密度金层作为金黑腔内衬层可提高激光‑X光能量转化效率,降低黑腔壁损失能量,降低特定角度的闪烁和抑制受激布里渊散射。
搜索关键词: 内壁 密度 转化 制备 方法
【主权项】:
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