[发明专利]一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件在审
| 申请号： | 202110518236.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113314588A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;陆界江;桜井建弥;李娇 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 张欢欢 |
| 地址： | 201899 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，在N‑型漂移层的上方间隔设置P型基区和栅极，栅极之间设置所述浮动P区，P沟道MOSFET管设置在浮动P区，除设置有P沟道MOSFET管的P型基区以外的其它P型基区表面一侧设有P+型基区、另一侧设有N+型发射区，N+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；N‑型漂移层的下方设置N型缓冲区，N型缓冲区的下方设置所述P‑型集电极区，P‑型集电极区的下方连接集电极。本发明通过在浮动P区增加P沟道MOSFET作为空穴分流器，旁路空穴电流以降低高空穴密度，提高抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高抗闩锁 能力 iegt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海睿驱微电子科技有限公司，未经上海睿驱微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110518236.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
