[发明专利]硒化亚铜薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110519862.5 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113270533B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张明亮;秦源浩;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;H01L21/66;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化亚铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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