[发明专利]基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器及其制作方法在审
申请号: | 202110521553.1 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN113421941A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 张海婷;龙成贵;季天辰;侯化康;宋效先 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器及其制作方法,PbSe纳米品体胶体表现出良好的激子结构,能量激子调谐从0.5到1eV,这是尺寸的函数。带边荧光从1.2到24m观察到,斯托克斯位移小,亚ns寿命,接近统一量子产额。在1.064nm泵浦时,第一激子衰减与低泵浦强度下的辐射弛豫和较高泵浦强度下的俄歇复合一致。在大约中隙处观察到光学诱导吸收。硒化铅(PbSe)量子点具有宽红外光谱调控范围、高荧光量子产率和可溶液加工等特点,壳层的包覆是有效提升PbSe量子点光学特性和化学稳定性的策略之一,是推动PbSe量子点应用发展的研究方向。本发明设计的PbSe核壳量子点在光电探测﹑太阳能电池、激光器和光催化等领域具有很高的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 基于 跃迁 pbse 量子 长波 红外 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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