[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110524551.8 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113380699B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙祥烈;许静;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供待填充层；于待填充层的上表面形成图形化的掩膜层，基于掩膜层刻蚀待填充层，以形成待填充图形；于待填充图形内和掩膜层的上表面形成填充层；以掩膜层为刻蚀阻挡层刻蚀填充层，使填充层与掩膜层表面齐平；去除掩膜层。以掩膜层为刻蚀阻挡层刻蚀填充层，使填充层与掩膜层表面齐平，可以避免使用机械方式去除多余的填充层，从而避免产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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