[发明专利]一种多组并联的大电流IGBT功率模块装置及制造方法在审
| 申请号： | 202110525607.1 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113097196A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张子义 | 申请（专利权）人： | 沈阳益峰电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50;H02M1/088;H02M1/32 |
| 代理公司： | 沈阳飞扬灵睿知识产权代理事务所(普通合伙) 21255 | 代理人： | 杨乃力 |
| 地址： | 110000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种多组并联的大电流IGBT功率模块装置及制造方法涉及IGBT功率模块制造领域，用650V/75A的IGBT单管为原器件根据三电平拓扑结构原理图，设计出用4个IGBT单管（芯片）和两个650V/75A的肖特基二极管作续流二极管经过绝缘陶瓷片绝缘隔离后固定在基板上，按照拓扑原理图连接后经过转接PCB板转接后，转换成75安培电流的产品，然后多组并联做大电流，以3组并联为例做200安培三电平拓扑结构的功率模块，并转焊线路板上做上辅助门极电容，每组独立的门极电阻，每个IGBT单管的C、E极并联阻容吸收电路用来吸收关断电压峰值，以上功能都集成在模块内部并且每组75安的三电平拓扑输出独立，以便于每组输出独立串联滤波电感均流后再并联输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 电流 igbt 功率 模块 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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