[发明专利]一种MOS管的制造方法在审
| 申请号： | 202110525828.9 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113284805A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 徐晓辉;杨伟勋 | 申请（专利权）人： | 深圳市吉利通电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 邹蓝;叶垚平 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福永*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS管的制造方法，包括步骤S1：在衬底的表面形成外延层；步骤S2：在外延层的表面依次形成沟槽、栅氧化层以及多晶硅层；步骤S3：淀积多晶硅层，去除沟槽之外的多晶硅层，在外延层的依次表面形成第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区设置在沟槽的外表面，第一掺杂区与栅氧化层的间隔距离等于第二掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；步骤S4：在第一掺杂区的表层形成第三掺杂区，第三掺杂区的深度小于所述第一掺杂区的深度，第三掺杂区的深度小于所述第二掺杂区的深度。本发明提供的MOS管的制造方法具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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