[发明专利]功率半导体器件和功率半导体芯片在审
| 申请号： | 202110526485.8 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113745322A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李珠焕 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78;G01K13/00;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了功率半导体器件和功率半导体芯片。该功率半导体器件包括：半导体层；梯形沟槽，从半导体层的表面向半导体层内凹陷特定深度，并且该沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在该对线之间且具有比第一深度浅的第二深度的多个连接件；阱区，被限定在该半导体层中、在该对线之间并且在沟槽的多个连接件之间；浮动区，被限定在该半导体层中、在沟槽的该对线的外部；栅极绝缘层，布置在沟槽的内壁上；以及栅极电极层，布置在栅极绝缘层上以填充沟槽，并且栅极电极层包括填充该对线的第一部分和填充多个连接件的第二部分。栅极电极层的第二部分的深度比栅极电极层的第一部分的深度浅。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代摩比斯株式会社，未经现代摩比斯株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110526485.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
