[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110526799.8 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113394160B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供硅基底层；形成掩模层；选择性刻蚀掩模层，使得栅区位置处的硅基底层从第一窗口外露；基于第一窗口，刻蚀硅基底层，使得硅基底层在第一窗口位置处形成凹槽结构；对第一窗口边缘位置处的掩模层进行回刻蚀，使得在凹槽边缘位置处的硅基底层形成台阶结构；通过外延生长工艺，依照回刻蚀后外露于第二窗口中的基底层表面形貌，生长形成硅外延层，硅外延层包括形成于台阶结构位置处基底层上的突起；通过快速热退火工艺，氧化第二窗口中的硅外延层，使得在突起位置处的氧化反应阻挡氧气横向渗透出第二窗口外，形成平坦的HVOX层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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