[发明专利]疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关有效

专利信息
申请号: 202110527092.9 申请日: 2021-05-14
公开(公告)号: CN113289700B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 陈华伟;刘光;张力文;陈登科 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王富强
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关,涉及微流控技术领域,包括基体,所述基体上设置有若干阵列区域,各所述阵列区域包括若干均布的微柱,不同的所述阵列区域的所述微柱的间距由所述基体的一端向所述基体的另一端依次增大,所述微柱均具有磁性。本发明的疏密梯度微结构的微柱按照一定规则形成疏密的阵列区域,微柱可以在外部磁场的条件下定向偏转。通过控制磁场的强弱,可以控制微柱的偏转角度,继而控制液膜铺展方向,由此可以实现液体的定向调控。本发明可以实现微流控领域的液体铺展方向实时调控,为微流控、药物定向筛选、以及微流控芯片的设计提供新思路。
搜索关键词: 疏密 梯度 微结构 制备 方法 开关
【主权项】:
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