[发明专利]具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110529994.6 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113488566A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 石祥生;邢振远;王世俊;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法，属于红光二极管制作领域。在衬底与n型AlInP限制层之间增加反射结构，反射结构本身反射的光线的波长范围为600～900nm，反射结构可以包括依次层叠的n个布拉格反射镜，每个布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加，对几乎红光波长范围内的所有光线进行反射，有效保证红光二极管的出光效率。在布拉格反射镜的数量较多的情况下，也可以大幅度提高对不是垂直入射的光线的反射率，最终有效提高红光二极管的外量子效率以提高红光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 结构 红光 二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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