[发明专利]带高阻层的MOSFET及其制备方法、功率晶体管模块在审
| 申请号： | 202110532062.7 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113299756A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 徐光伟;刘琦;周选择;龙世兵;赵晓龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/34;H05B45/37 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种带高阻层的MOSFET及其制备方法、功率晶体管模块，其中，该带高阻层的MOSFET包括：半绝缘衬底层、缓冲层、外延层、高阻层；源电极、漏电极、栅电极；其中，半绝缘衬底层、缓冲层、外延层自下至上依次设置；源电极、漏电极均设置在外延层上表面，源电极、漏电极与外延层均形成欧姆接触；外延层非欧姆接触区域的上表面设置栅介质；栅电极设置在栅介质的上表面；外延层中位于栅电极、漏电极之间的非欧姆接触区域设置高阻层；高阻层包括N型氧化镓，载流子浓度包括0～1×10 |
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| 搜索关键词： | 带高阻层 mosfet 及其 制备 方法 功率 晶体管 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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