[发明专利]一种芯片衬底外延片

摘要

本发明公开了一种芯片衬底外延片，对芯片无源电路衬底外延片进行定制。电阻采用Iso/Mesa电阻，电阻区下方采用低掺杂浓度或未掺杂的衬底，取消衬底外延片上的沟道层，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充该沟道层。电感采用空气桥电感。电容采用支撑柱支撑电容。本发明芯片电阻具有更高的方块电阻，能实现更精密的Iso/Mesa电阻值控制，能够实现更少的漏电、更好的隔离效果和更好的噪声特性；芯片电容和电感具备更高的单位容值和电感值，更高的Q值，更小的电磁泄露和噪声；在此新型衬底外延片上制作的芯片具备更高的输出功率和效率，更高的可靠性。芯片面积小，降低了芯片成本。