[发明专利]一种横向双扩散晶体管有效
| 申请号： | 202110533925.2 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113345964B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;王炜槐 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐灵;赵杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向双扩散晶体管，该横向双扩散晶体管的主件区包括第一晶体管、第二晶体管和设置在所述第一晶体管与第二晶体管之间的第一ESD器件；所述第一晶体管和第二晶体管具有共连的源端、共连的漏端、共连的栅端和共连的体端；所述第一ESD器件包括接在所述共连的栅端上的负极，以及设置在所述负极左右两侧的两个正极，所述两个正极接在所述共连的源端上；所述副件区包括第二ESD器件，所述第二ESD器件的输入端接在所述共连的栅端，输出端接地。本发明可以克服现有技术中ESD从漏端涌入时导致器件呈现非均匀开启而产生的损坏，以此提高器件的防ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 晶体管 | ||
【主权项】：
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