[发明专利]沟槽型功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110534213.2 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113314589A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;王根毅;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及沟槽型功率半导体器件及其制造方法。该器件包括基底层；栅极结构，其形成于栅区中，从基底层的上表面向下延伸；每个栅极结构均包括栅部和栅总线部，与栅部交界的栅总线部的边缘形成栅连接部，每个栅极结构的栅连接部均延伸至连接相邻的栅极结构；依次连接的栅连接部将有源区分为栅总线区和其他有源区；终端保护结构，其形成于终端环区中；互连层，其包括栅极互连层和源互连层，栅极互连层覆盖在栅总线区上，与栅总线部欧姆接触；源互连层覆盖在其他有源区上，与源极结构欧姆接触；栅极互连层的边缘与源互连层的边缘之间相间隔。该方法用于形成上述器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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