[发明专利]一种半导体光催化剂及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110535034.0 申请日: 2021-05-17
公开(公告)号: CN113509932A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 孙艳娟;肖磊;盛剑平;陈思;董帆 申请(专利权)人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;B01J27/04;B01J35/00;B01J35/08;B01J37/10;C01B32/40
代理公司: 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 代理人: 何健雄;廖祥文
地址: 313000 浙江省湖州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种半导体光催化剂的制备方法,包括以下步骤:S1.将含Zn前驱体和含In前驱体混合,接着加入水配成前驱体溶液,搅拌均匀,制得混合液a;S2.向步骤S1制得的混合液a中加入Cu化合物并搅拌均匀,制得混合液b;S3.向步骤S2制得的混合液b中加入表面活性剂并搅拌均匀,制得混合液c;S4.向步骤S3制得的混合液c中加入含S前驱体,搅拌均匀后经过水热反应得到固体混合物,经离心洗涤后烘干,制得催化剂。本申请所公开的Cu掺杂ZnIn2S4半导体光催化剂的可见光还原CO2至CO的性能是未掺杂ZnIn2S4光催化剂的13.7倍。另外,本申请提供的制备方法条件温和,操作简单,利于其大规模生产。
搜索关键词: 一种 半导体 光催化剂 及其 制备 方法
【主权项】:
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