[发明专利]一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜有效

专利信息
申请号: 202110538469.0 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN113241253B 公开(公告)日: 2023-02-10
发明(设计)人: 徐秀兰;黄意雅;张辉;江勇;于广华 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: H01F41/18 分类号: H01F41/18;H01F41/22;H01F10/32;H01F10/12;H01F10/14;H01F10/16;H01F10/18
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 曹卫良
地址: 528200 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗,在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta,从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系,在真空环境下,对所述薄膜体系进行热处理,重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜,本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的,可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化,获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态,从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用,导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性,上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
搜索关键词: 一种 氧化物 多层 制备 方法
【主权项】:
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