[发明专利]一种厚铜箔的预氧化处理方法有效
| 申请号： | 202110543746.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113355629B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C8/10 | 分类号： | C23C8/10 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域。一种厚铜箔的预氧化处理方法，铜箔以设置150mm/min～170mm/min之间的速度依次途径预氧化了的三个升温区、四个恒温区以及降温区；三个升温区依次为温度设置在595℃～610℃之间的第一升温区、温度设置在675℃～690℃之间的第二升温区以及温度设置在745℃～760℃之间的第三升温区；四个恒温区的温度设置在790℃～810℃之间。本专利通过上述预氧化参数设置组合，可使厚铜箔经预氧化工艺处理后，使表面充分氧化，从而达到厚铜箔烧结时避免出现大量烧结气泡不良及铜箔无法烧结现象的目的，实现大于0.40mm厚铜箔DBC基板的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜箔 氧化 处理 方法 | ||
【主权项】：
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