[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110544112.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN113346009A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;丁哲音 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述第二铁磁性金属层接合，该自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状，该制造方法具有：形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序；将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序；和将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 轨道 转矩 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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