[发明专利]一种晶种辅助的超临界技术制备MOF膜的方法及其气体分离应用有效
申请号: | 202110544809.0 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113413778B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 刘毅;刘亮亮 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B01D71/76 | 分类号: | B01D71/76;B01D67/00;B01D53/22 |
代理公司: | 大连格智知识产权代理有限公司 21238 | 代理人: | 刘琦 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种晶种辅助的超临界流体技术制备MOF膜的方法及其气体分离应用。首先在金属前驱体层修饰的多孔载体上沉积致密晶种层;随后将其置于超临界釜内,在超临界流体作用下,釜内有机配体粉末逐渐溶解扩散,并在晶种层界面附近与晶种层下方暴露的金属前驱体层发生配位反应;得益于晶种层提供的成核位点和其自身的限域作用,以及超临界流体的优异特性,在一定周期的反应后形成连续的良好连生的MOF膜层;气体分离测试表明MOF膜具有优异的气体分离性能。晶种辅助的超临界流体技术制备MOF膜,通过选择合适的晶种材料、优化晶种形貌、调控晶种层沉积和控制超临界生长条件,实现MOF膜的微观形貌和分离性能的定向设计和可控优化,具有良好的工业应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 辅助 临界 技术 制备 mof 方法 及其 气体 分离 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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