[发明专利]一种CoolMOS器件制作方法有效
| 申请号： | 202110545584.0 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113192842B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;张斌;黄种德 | 申请（专利权）人： | 厦门中能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市海*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoolMOS器件制作方法，包括如下步骤1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；2)有源区打开；3)有源区内加工深沟槽；4)栅氧生长，多晶硅栅淀积、光刻、刻蚀；5)PWELL阱层注入退火；6)源区N+光刻，N+注入，退火；7)TEOS淀积，铝下钝化硼磷硅玻璃生长，回流；8)引线孔光刻，孔刻蚀；9)正面金属化形成；10)减薄；11)背面金属化形成；12)CP测试入库。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种在PWELL内进行深沟槽刻蚀，在槽内淀积TEOS厚氧，利用多晶场板屏蔽原理加上底部PN结原理，实现在浓外延条件下的高压输出，降低内阻的CoolMOS器件制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 coolmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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