[发明专利]一种高质量碳化硅衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 202110546515.1 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113284941B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 张伟朴 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，从而减少了碳化硅晶体籽晶面和生长面表面与中心区域应力的差值，改善了碳化硅晶体的面型质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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