[发明专利]一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置在审
| 申请号： | 202110550502.1 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113122917A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 | 申请（专利权）人： | 宁波恒普真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张德才 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度，保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证了晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 碳化硅 晶体 石墨 热场单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
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