[发明专利]一种掩模基版及其制备方法和光罩在审
| 申请号： | 202110550645.2 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113296355A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 车翰宣;冯涛 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F1/48;G03F1/00;G03F1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掩模基版及其制备方法和光罩。该掩模基版包括：透明基板、遮光膜、防反射膜和光刻胶层，在反射膜和光刻胶层之间还设置有防反射膜氧化膜；光刻胶层为化学放大型光刻胶。上述掩模基版的制备方法，核心是对防反射膜直接氧化，形成防反射膜氧化膜。通过上述掩模基版，再经曝光、蚀刻后形成光罩。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩模基版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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