[发明专利]一种功率器件外延结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110556144.5 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299739A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;李健;黄传伟;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是功率器件外延结构及其制造方法，其结构包括相互连接的35μm厚N型外延和N型衬底，N型外延上刻蚀有20μm深沟槽，沟槽底部为15μm厚P型区域，沟槽内和沟槽顶部为15μm厚P型外延。方法包括：1)准备具有N型外延外延片；2)N型外延光刻；3)等离子干法沟槽刻蚀；4)三次硼离子注入；5)光刻胶去除高温推进形成P型区域；6)P型外延填充；7)一次光刻定义N型区域；8)三次磷注入；9)去除光刻胶并高温推进形成N型的区域。本发明的优点：对比多层外延工艺和深沟槽加外延填充工艺，只使用一次外延生长，并且降低了对深沟刻蚀深度的依赖，有效降低了工艺成本和工艺难度，可靠性高，可使超级结工艺具有更大普及性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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