[发明专利]一种Ag/[SnS2有效

专利信息
申请号: 202110556536.1 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113328036B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 坚佳莹;赵婷;常洪龙;董芃凡;冯浩;坚增运 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/18;C23C14/24
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及二维材料与器件技术领域,具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片,并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/[SnS2/PMMA]/Cu阻变存储器的方法。其开关比约为106,耐受性达到了104,上述两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平的基础上,Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V,远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用,当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A,Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。
搜索关键词: 一种 ag sns base sub
【主权项】:
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