[发明专利]一种FLASH芯片存储区及其高性能防掉电读写方法在审
| 申请号： | 202110558676.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113190470A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 何碧波;崔可 | 申请（专利权）人： | 恒宝股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0868;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段旺;姚燕春 |
| 地址： | 212355 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种FLASH芯片存储区及其高性能防掉电读写方法。所述FLASH芯片存储区包括第一数据区、第二数据区和擦写操作记录区；第一数据区用于存储用户数据，第二数据区用于存储被擦写页面的新数据，擦写操作记录区记录擦写FLASH页面擦写的记录，按页面擦写，轮换使用，不需要备份，并要求当前写入的擦写记录页面不能与在此之前写入的擦写记录页面相同；每个擦写记录单元在第二数据区或者第一数据区对应一个页面。采用本申请技术方案实现一种高效擦写防护机制，既能保护原有页面数据，也能高效写入新的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 flash 芯片 存储 及其 性能 掉电 读写 方法 | ||
【主权项】：
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